SK海力士携手闪迪制定HBF标准,下一代存储技术迎关键进展,科创芯片ETF博时(588990)盘中涨超4%

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SK海力士携手闪迪制定HBF标准,下一代存储技术迎关键进展,科创芯片ETF博时(588990)盘中涨超4%

据悉,截至2026年8月4日 09:59,上证科创板芯片指数(000685)强势上涨4.15%,成分股仕佳光子上涨16.42%,源杰科技上涨14.98%,芯原股份上涨8.47%,思瑞浦,杰华特等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨4.18%,最新价报3.39元。拉长时刻看,截至2026年8月3日,科创芯片ETF博时近半年累计上涨17.73%。 财经新闻。

科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数,上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本,以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

近期芯片等板块的调整,中信建投证券认为,性质上更接近价值分配的重定价,而非产业逻辑的证伪。真正需要警惕的终结信号是:token消耗量增速见顶回落、企业采用率停滞,目前尚未看到。近期AI基建层行情调整并不等于科研大行情终结。

SK背景与起因

资金流入方面,科创芯片ETF博时最新资金净流入1329.00万元。

数据显示,截至2026年7月31日,上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为中微公司、海光信息、中芯国际、寒武纪、澜起科技、拓荆科技、源杰科技、华海清科、华虹宏力、佰维存储,前十大权重股合计占比61.34%。

东吴证券指出,随着HBM向更高堆叠层数演进,存储制程升级带动刻蚀、薄膜沉积及量检测等关键设备投资占比提升,合计占存储资本开支超50%。国内外存储厂商同步扩产背景下,具备多品类覆盖能力的平台化设备商将率先受益,同时高价值量核心环节亦迎来更大成长空间。

SK事件经过

科创芯片ETF博时(588990),场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A:022725;博时上证科创板芯片ETF发起式联接C:022726)。

消息面上,SK海力士发布声明称,SK海力士与闪迪推出高带宽闪存(HBF)的行业首套标准规范,HBF属于下一代存储技术。两家企业组建联盟约六个月后达成这一里程碑进展。谷歌与Tenstorrent同样加入该HBF联盟。HBF是介于高带宽内存(HBM)与固态硬盘之间的新型存储层级;该技术兼具接近HBM的高速数据传输能力,同时依托NAND闪存技术实现存储容量大幅扩容。

流动性方面,科创芯片ETF博时盘中换手2.25%,成交1548.04万元。拉长光阴看,截至8月3日,科创芯片ETF博时近1年日均成交8080.38万元。

SK各方回应

(文中个股仅作示例,不构成实际投资建议。基金有风险,投资需谨慎。)以上产品风险等级为:中高(此为管理人评级,具体销售以各代销机构评级为准)风险提示:基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具,不同类型的基金风险收益情况不同,投资人既可能分享基金投资所产生的收益,也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况,结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险,不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。

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领域:财经 发布:2026-08-04